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Datum	Zeit	Ort	Vortrag
11.05.17	15:45	Am Schwarzenberg-Campus (H), Raum H0.04	Oszillationstheorie für Jacobi-Operatoren mit unendlich-dimensionalen Fasern Julian Großmann Die Sturm’sche Oszillationstheorie stammt von Charles-François Sturm um 1830, und bezieht sich meistens auf sogenannte Sturm-Liouville-Probleme, d.h. Eigenwertprobleme für gewisse Differentialgleichungen. Im Vortrag wird das diskrete Analogon davon betrachtet und in Verbindung mit dem spektralen Fluss in von-Neumann-Algebren gebracht.
03.05.17	15:00	Am Schwarzenberg-Campus 3 (E), Raum 3.074	Verbesserung der Bildqualität bei Diffusionsgewichtetem MRT mit Hilfe von Inpainting [Masterarbeit] Joshua Engels
27.04.17	14:00	Am Schwarzenberg-Campus 3 (E), Raum 3.074	Schrödinger operators and singular infinite rank perturbations Christian Kühn In dem Vortrag werde ich ein abstraktes Konzept vorstellen, um selbstadjungierte Operatoren mit singulären Störungen zu untersuchen und dieses anschließend auf Schrödingeroperatoren mit Delta-Interaktionen anwenden.
21.04.17	09:00	H 0.06	Approximation of Spectra and Pseudospectra on a Hilbert Space [Promotionsvortrag] Torge Schmidt
03.04.17	14:00	Am Schwarzenberg-Campus 3 (E), Raum 3.074	Using neural networks to classify paths in two-dimensional environments [Bachelorarbeit] Kieron Kretschmar, TM-Student
31.03.17	14:00	H0.03	Efficient and Accurate Evaluation of Aggregation Integrals in Population Balance Equations (Promotionsvortrag) Lusine Shahmuradyan
27.03.17	14:00	Am Schwarzenberg-Campus 3 (E), Raum 3.074	Numerische Simulation eines Modells einer Heißwasserhydrolyse (Bachelorarbeit) Thorben Abel
28.02.17	10:00	H 0.08	Minimierung des kleinsten Eigenwerts für Laplace-Operatoren auf metrischen Graphen [Bachelorarbeit] Yannick Jean Paul Lucien Saive, TM-Student
15.02.17	11:00	Am Schwarzenberg-Campus 3 (E), Raum 3.074	Präkonditionierer basierend auf filternden Matrix-Zerlegungen (Bachelorvortrag) Rasmus Wormstädt
06.02.17	14:00	Am Schwarzenberg-Campus 3 (E), Raum 3.074	Solving PDEs Numerically: RBF Collocation and Finite Volume Methods for Semiconductor Problems Dr. Patricio Farrell, Weierstrass Institut, Berlin Partial differential equations model a wide range of physical phenomena. Unfortunately, most of them cannot be solved directly, making it necessary to develop efficient and robust numerical solution methods. In this talk, we focus on two different ones: Radial basis functions (RBFs) and finite volume methods (FVM). The former allow to solve differential equations without the cumbersome generation of a grid. Moreover, RBFs can be used to improve flawed grids. The latter are particularly useful in the context of semiconductor device simulation. They yield robust numerical solutions even in the presence of boundary layers. The presented finite volume scheme additionally satisfies a discrete maximum principle, just like the continuous semiconductor equations (the van Roosbroeck system).